Транзистори з каналом P SMD SUD19P06-60-GE3

 
SUD19P06-60-GE3
 
Артикул: 1009423
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8,19А; 2,3Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
77.79 грн
10+
65.41 грн
25+
58.82 грн
29+
35.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1800 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-8,19А(1738137)
Опір в стані провідності
60мОм(1441262)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,3Вт(1449544)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
26нКл(1479074)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,41 g
 
Транзистори з каналом P SMD SUD19P06-60-GE3
VISHAY
Артикул: 1009423
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8,19А; 2,3Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
77.79 грн
10+
65.41 грн
25+
58.82 грн
29+
35.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1800 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-8,19А
Опір в стані провідності
60мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,3Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
26нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,41 g