0 0 0
  8. SUD19P06-60L-E3

Транзистори з каналом P SMD SUD19P06-60L-E3

 
SUD19P06-60L-E3
 
VISHAY
Артикул: 842614
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -19А; Idm: -30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
62.93 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-19А(1478978)
Опір в стані провідності
0,129Ом(1790184)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
46Вт(1449557)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
40нКл(1479263)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-30А(1811033)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SUD19P06-60L-E3
VISHAY
Артикул: 842614
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -19А; Idm: -30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
62.93 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-19А
Опір в стані провідності
0,129Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
46Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
40нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g