0 0 0
  8. SUD20N10-66L-GE3

Транзистори з каналом N SMD SUD20N10-66L-GE3

 
SUD20N10-66L-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847007
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 16,9А; Idm: 25А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
28.67 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
16,9А(1942330)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
41,7Вт(1775254)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
25А(1742151)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SUD20N10-66L-GE3
VISHAY
Артикул: 847007
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 16,9А; Idm: 25А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
28.67 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
16,9А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
41,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
30нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
25А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g