0 0 0
  8. SUD35N10-26P-BE3

Транзистори з каналом N SMD SUD35N10-26P-BE3

 
SUD35N10-26P-BE3
 
VISHAY
Артикул: 846873
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 35А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
110.46 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
35А(1441492)
Опір в стані провідності
37,5мОм(1610050)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
83Вт(1702256)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
47нКл(1610022)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SUD35N10-26P-BE3
VISHAY
Артикул: 846873
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 35А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
110.46 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
35А
Опір в стані провідності
37,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
83Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
47нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g