0 0 0
  8. SUD40151EL-GE3

Транзистори з каналом P SMD SUD40151EL-GE3

 
SUD40151EL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842624
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -42А; Idm: -100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
92.96 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-42А(1778020)
Опір в стані провідності
17,5мОм(1479030)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
50Вт(1520816)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
112нКл(1633314)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-100А(1810553)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SUD40151EL-GE3
VISHAY
Артикул: 842624
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -42А; Idm: -100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
92.96 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-42А
Опір в стані провідності
17,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
50Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
112нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g