Транзистори з каналом N SMD SUD80460E-GE3

 
SUD80460E-GE3
 
Артикул: 846886
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 42А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
38.30 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
42А(1479340)
Опір в стані провідності
44,7мОм(1985936)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
65,2Вт(1985935)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
16нКл(1479019)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SUD80460E-GE3
VISHAY
Артикул: 846886
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 42А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
38.30 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
42А
Опір в стані провідності
44,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
65,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
16нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g