0 0 0
  8. SUG80050E-GE3

Транзистори з каналом N THT SUG80050E-GE3

 
SUG80050E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 843848
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 100А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
429.08 грн
4+
315.83 грн
9+
298.28 грн
500+
287.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
6,3мОм(1479278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
165нКл(1479367)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT SUG80050E-GE3
VISHAY
Артикул: 843848
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 100А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
429.08 грн
4+
315.83 грн
9+
298.28 грн
500+
287.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
6,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
500Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
165нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g