0 0 0
  8. SUM40012EL-GE3

Транзистори з каналом N SMD SUM40012EL-GE3

 
SUM40012EL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847002
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 150А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
132.58 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
150А(1441539)
Опір в стані провідності
2,24мОм(1960030)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
195нКл(1694861)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD SUM40012EL-GE3
VISHAY
Артикул: 847002
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 150А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
132.58 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
150А
Опір в стані провідності
2,24мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
195нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g