0 0 0
  8. SUM50020EL-GE3

Транзистори з каналом N SMD SUM50020EL-GE3

 
SUM50020EL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846927
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 120А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
162.91 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
2,6мОм(1479581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
126нКл(1629833)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD SUM50020EL-GE3
VISHAY
Артикул: 846927
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 120А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
162.91 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
2,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
126нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g