0 0 0
  8. SUM60061EL-GE3

Транзистори з каналом P SMD SUM60061EL-GE3

 
SUM60061EL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842641
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -150А; Idm: -250А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
302.69 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
-80В(1536865)
Струм стока
-150А(1711580)
Опір в стані провідності
8,6мОм(1599594)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
218нКл(1986090)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-250А(1942409)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом P SMD SUM60061EL-GE3
VISHAY
Артикул: 842641
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -150А; Idm: -250А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
302.69 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
-80В
Струм стока
-150А
Опір в стані провідності
8,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
218нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-250А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g