Транзистори з каналом N SMD SUM60N10-17-E3

 
SUM60N10-17-E3
 
Артикул: 846996
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 60А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
95.04 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
41мОм(1479050)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
0,1мкКл(1950532)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD SUM60N10-17-E3
VISHAY
Артикул: 846996
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 60А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
95.04 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
41мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
0,1мкКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g