Транзистори з каналом N SMD SUM80090E-GE3

 
SUM80090E-GE3
 
Артикул: 947617
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 128А; Idm: 240А; 125Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
214.40 грн
7+
162.79 грн
17+
154.05 грн
500+
152.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
128А(1599487)
Опір в стані провідності
9мОм(1479207)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
95нКл(1609950)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
240А(1741658)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD SUM80090E-GE3
VISHAY
Артикул: 947617
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 128А; Idm: 240А; 125Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
214.40 грн
7+
162.79 грн
17+
154.05 грн
500+
152.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
128А
Опір в стані провідності
9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
95нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
240А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g