0 0 0
  8. SUM90100E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SUM90100E-GE3

 
SUM90100E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847005
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 150А; Idm: 250А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
205.26 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
150А(1441539)
Опір в стані провідності
12,9мОм(1743051)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
250А(1714519)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD SUM90100E-GE3
VISHAY
Артикул: 847005
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 150А; Idm: 250А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
205.26 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
150А
Опір в стані провідності
12,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
110нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
250А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g