0 0 0
  8. SUM90330E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SUM90330E-GE3

 
SUM90330E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846876
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 35,1А; Idm: 70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
77.09 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
35,1А(1985942)
Опір в стані провідності
42,2мОм(1985937)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
32нКл(1479130)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
70А(1759384)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD SUM90330E-GE3
VISHAY
Артикул: 846876
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 35,1А; Idm: 70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
800+
77.09 грн
Мін. замовлення: 800
Кратність: 800
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
35,1А
Опір в стані провідності
42,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
32нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
70А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g