0 0 0
  8. SUP50010E-GE3

Транзистори з каналом N THT SUP50010E-GE3

 
SUP50010E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 843865
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 150А; Idm: 500А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
249.63 грн
6+
183.44 грн
15+
173.86 грн
1000+
167.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
150А(1441539)
Опір в стані провідності
2,5мОм(1479571)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
212нКл(1478992)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
500А(1714522)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SUP50010E-GE3
VISHAY
Артикул: 843865
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 150А; Idm: 500А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
249.63 грн
6+
183.44 грн
15+
173.86 грн
1000+
167.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
150А
Опір в стані провідності
2,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
212нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
500А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g