0 0 0
  8. SUP70060E-GE3

Транзистори з каналом N THT SUP70060E-GE3

 
SUP70060E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 843849
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 131А; Idm: 240А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
212.21 грн
7+
157.37 грн
18+
148.63 грн
1000+
143.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
131А(1479525)
Опір в стані провідності
6,4мОм(1693692)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
200Вт(1701925)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
81нКл(1479445)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
240А(1741658)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SUP70060E-GE3
VISHAY
Артикул: 843849
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 131А; Idm: 240А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
212.21 грн
7+
157.37 грн
18+
148.63 грн
1000+
143.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
131А
Опір в стані провідності
6,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
200Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
81нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
240А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g