0 0 0
  8. SUP70090E-GE3

Транзистори з каналом N THT SUP70090E-GE3

 
SUP70090E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 843866
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 50А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
249.63 грн
6+
184.23 грн
15+
174.66 грн
1000+
167.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
9,3мОм(1493304)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
50нКл(1479381)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SUP70090E-GE3
VISHAY
Артикул: 843866
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 50А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
249.63 грн
6+
184.23 грн
15+
174.66 грн
1000+
167.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
9,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
50нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g