0 0 0
  8. SUP85N10-10-GE3

Транзистори з каналом N THT SUP85N10-10-GE3

 
SUP85N10-10-GE3
 
VISHAY
Артикул: 843861
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 85А; Idm: 240А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
233.67 грн
6+
164.52 грн
17+
155.78 грн
1000+
150.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 250 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
85А(1441551)
Опір в стані провідності
22мОм(1441360)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
160нКл(1479521)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
240А(1741658)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,07 g
 
Транзистори з каналом N THT SUP85N10-10-GE3
VISHAY
Артикул: 843861
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 85А; Idm: 240А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
233.67 грн
6+
164.52 грн
17+
155.78 грн
1000+
150.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 250 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
85А
Опір в стані провідності
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
160нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
240А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,07 g