0 0 0
  8. TP0610K-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD TP0610K-T1-GE3

 
TP0610K-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405925
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,185А; Idm: -800А; 0,14Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
22.25 грн
10+
17.56 грн
100+
11.76 грн
106+
9.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1903 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-0,185А(1811176)
Опір в стані провідності
9Ом(1441411)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,14Вт(1741772)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,7нКл(1636487)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-800А(1758562)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзистори з каналом P SMD TP0610K-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405925
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,185А; Idm: -800А; 0,14Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
22.25 грн
10+
17.56 грн
100+
11.76 грн
106+
9.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1903 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-0,185А
Опір в стані провідності
9Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,14Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
1,7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-800А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g