0 0 0
  7. VS-GT300YH120N

Модулі IGBT VS-GT300YH120N

 
VS-GT300YH120N
 
VISHAY
Артикул: 993836
Модуль: IGBT; діод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; Trench
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
14 654.86 грн
120+
14 243.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Корпус
Dual INT-A-Pak(2009523)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
300А(1441741)
Струм колектора в імпульсі
720А(2009521)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench(1712977)
Топологія
MOSFET half-bridge + serial diodes(1826081)
Додаткова інформація: Маса брутто: 300 g
 
Модулі IGBT VS-GT300YH120N
VISHAY
Артикул: 993836
Модуль: IGBT; діод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; Trench
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
14 654.86 грн
120+
14 243.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Корпус
Dual INT-A-Pak
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
300А
Струм колектора в імпульсі
720А
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench
Топологія
MOSFET half-bridge + serial diodes
Додаткова інформація: Маса брутто: 300 g