0 0 0
  7. VS-GT80DA120U

Модулі IGBT VS-GT80DA120U

 
VS-GT80DA120U
 
VISHAY
Артикул: 993833
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 913.25 грн
100+
2 794.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
80А(1441762)
Струм колектора в імпульсі
170А(1750612)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Технологія
Trench(1712977)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT VS-GT80DA120U
VISHAY
Артикул: 993833
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 913.25 грн
100+
2 794.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
80А
Струм колектора в імпульсі
170А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Технологія
Trench
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g