0 0 0
  8. WMAA2N100D1

Транзистори з каналом N THT WMAA2N100D1

 
WMAA2N100D1
 
Артикул: 834159
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1кВ; 2А; Idm: 8А; 60Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
45.19 грн
10+
31.63 грн
25+
25.29 грн
71+
13.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 561 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO251(1492057)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
2А(1441386)
Опір в стані провідності
6,3Ом(1638796)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
8А(1709892)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,379 g
 
Транзистори з каналом N THT WMAA2N100D1
Артикул: 834159
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1кВ; 2А; Idm: 8А; 60Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
45.19 грн
10+
31.63 грн
25+
25.29 грн
71+
13.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 561 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO251
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
2А
Опір в стані провідності
6,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
18нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,379 g