0 0 0
  8. WMB18N65EM

Транзистори з каналом N SMD WMB18N65EM

 
WMB18N65EM
 
Артикул: 778667
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 650В; 8,6А; Idm: 43А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
303.49 грн
10+
212.44 грн
12+
89.45 грн
31+
84.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PDFN56(1912181)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
8,6А(1441570)
Опір в стані провідності
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
26нКл(1479074)
Технологія
WMOS™ EM(1960114)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
43А(1825890)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMB18N65EM
Артикул: 778667
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 650В; 8,6А; Idm: 43А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
303.49 грн
10+
212.44 грн
12+
89.45 грн
31+
84.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
PDFN56
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
8,6А
Опір в стані провідності
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
26нКл
Технологія
WMOS™ EM
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
43А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g