0 0 0
  8. WMH4N80D1B

Транзистори з каналом N THT WMH4N80D1B

 
WMH4N80D1B
 
Артикул: 834164
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 4А; Idm: 16А; 96Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
37.26 грн
10+
25.05 грн
25+
20.06 грн
75+
17.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO252S3(1739757)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
96Вт(1740786)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT WMH4N80D1B
Артикул: 834164
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 4А; Idm: 16А; 96Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
37.26 грн
10+
25.05 грн
25+
20.06 грн
75+
17.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO252S3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
3,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
13нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g