0 0 0
  8. WMJ30N65EM

Транзистори з каналом N THT WMJ30N65EM

 
WMJ30N65EM
 
Артикул: 780732
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 650В; 16А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
440.24 грн
3+
352.51 грн
6+
189.02 грн
15+
178.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
210Вт(1740833)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
42нКл(1478958)
Технологія
WMOS™ EM(1960114)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT WMJ30N65EM
Артикул: 780732
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 650В; 16А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
440.24 грн
3+
352.51 грн
6+
189.02 грн
15+
178.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
210Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
42нКл
Технологія
WMOS™ EM
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g