0 0 0
  8. WMJ36N65F2

Транзистори з каналом N THT WMJ36N65F2

 
WMJ36N65F2
 
Артикул: 780775
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
570.24 грн
3+
456.19 грн
4+
244.85 грн
11+
231.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
277Вт(1741750)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
46нКл(1479438)
Технологія
WMOS™ F2(1946792)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT WMJ36N65F2
Артикул: 780775
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
570.24 грн
3+
456.19 грн
4+
244.85 грн
11+
231.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
277Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
46нКл
Технологія
WMOS™ F2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g