0 0 0
  8. WMJ3N120D1

Транзистори з каналом N THT WMJ3N120D1

 
WMJ3N120D1
 
Артикул: 834193
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
119.63 грн
3+
95.71 грн
10+
71.78 грн
20+
50.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 284 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
3А(1441397)
Опір в стані провідності
6,3Ом(1638796)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
156,2Вт(1973077)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
22,2нКл(1610037)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,053 g
 
Транзистори з каналом N THT WMJ3N120D1
Артикул: 834193
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
119.63 грн
3+
95.71 грн
10+
71.78 грн
20+
50.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 284 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
3А
Опір в стані провідності
6,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
156,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
22,2нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,053 g