0 0 0
  8. WMJ53N65FD

Транзистори з каналом N THT WMJ53N65FD

 
WMJ53N65FD
 
Артикул: 080357
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; польовий; 650В; 53А; 378Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
778.23 грн
3+
334.08 грн
9+
316.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
53А(1479379)
Опір в стані провідності
78мОм(1479284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
378Вт(1742149)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
SJ-MOSFET FD(1739750)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,12 g
 
Транзистори з каналом N THT WMJ53N65FD
Артикул: 080357
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; польовий; 650В; 53А; 378Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
778.23 грн
3+
334.08 грн
9+
316.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
53А
Опір в стані провідності
78мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
378Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
SJ-MOSFET FD
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,12 g