0 0 0
  8. WMJ80N60EM

Транзистори з каналом N THT WMJ80N60EM

 
WMJ80N60EM
 
Артикул: 780735
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 705.85 грн
2+
740.50 грн
4+
699.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
48А(1441568)
Опір в стані провідності
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
430Вт(1747343)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
142нКл(1479552)
Технологія
WMOS™ EM(1960114)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
295А(1918352)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,21 g
 
Транзистори з каналом N THT WMJ80N60EM
Артикул: 780735
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 705.85 грн
2+
740.50 грн
4+
699.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
48А
Опір в стані провідності
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
430Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
142нКл
Технологія
WMOS™ EM
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
295А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,21 g