Транзистори з каналом N THT WMJ80N60F2

 
WMJ80N60F2
 
Артикул: 780768
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 45А; Idm: 245А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 170.43 грн
2+
499.92 грн
6+
473.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
45А(1441307)
Опір в стані провідності
44мОм(1479152)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
410Вт(1701957)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
103нКл(1512596)
Технологія
WMOS™ F2(1946792)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
245А(1795259)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,2 g
 
Транзистори з каналом N THT WMJ80N60F2
Артикул: 780768
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 45А; Idm: 245А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 170.43 грн
2+
499.92 грн
6+
473.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
45А
Опір в стані провідності
44мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
410Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
103нКл
Технологія
WMOS™ F2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
245А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,2 g