0 0 0
  8. WMK4N65D1B

Транзистори з каналом N THT WMK4N65D1B

 
WMK4N65D1B
 
Артикул: 834160
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
18.51 грн
10+
13.99 грн
50+
12.32 грн
90+
11.20 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
2,2Ом(1441396)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
112Вт(1740797)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
14,5нКл(1609913)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT WMK4N65D1B
Артикул: 834160
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
18.51 грн
10+
13.99 грн
50+
12.32 грн
90+
11.20 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
2,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
112Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
14,5нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g