0 0 0
  8. WML6N80D1

Транзистори з каналом N THT WML6N80D1

 
WML6N80D1
 
Артикул: 834197
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 41,7Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.23 грн
10+
36.93 грн
46+
21.62 грн
125+
20.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
6А(1441388)
Опір в стані провідності
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
41,7Вт(1775254)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
29нКл(1479212)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
24А(1759122)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT WML6N80D1
Артикул: 834197
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 41,7Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.23 грн
10+
36.93 грн
46+
21.62 грн
125+
20.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
6А
Опір в стані провідності
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
41,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
29нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
24А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g