Транзистори з каналом N SMD WMM30N80M3

 
WMM30N80M3
 
Артикул: 778671
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 277Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
283.71 грн
5+
202.65 грн
14+
191.52 грн
800+
183.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
15А(1441590)
Опір в стані провідності
0,195Ом(1632938)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
277Вт(1741750)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
60нКл(1479310)
Технологія
SJ-MOSFET M3(1739749)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
96А(1758594)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMM30N80M3
Артикул: 778671
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 277Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
283.71 грн
5+
202.65 грн
14+
191.52 грн
800+
183.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
15А
Опір в стані провідності
0,195Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
277Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
60нКл
Технологія
SJ-MOSFET M3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
96А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g