0 0 0
  8. WMM36N60F2

Транзистори з каналом N SMD WMM36N60F2

 
WMM36N60F2
 
Артикул: 778250
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
321.78 грн
3+
286.82 грн
6+
189.89 грн
15+
179.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
277Вт(1741750)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
46нКл(1479438)
Технологія
WMOS™ F2(1946792)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMM36N60F2
Артикул: 778250
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
321.78 грн
3+
286.82 грн
6+
189.89 грн
15+
179.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
277Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
46нКл
Технологія
WMOS™ F2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g