0 0 0
  8. WMM6N90D1

Транзистори з каналом N SMD WMM6N90D1

 
WMM6N90D1
 
Артикул: 836345
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.81 грн
5+
53.09 грн
24+
41.96 грн
66+
39.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
6А(1441388)
Опір в стані провідності
1,7Ом(1502513)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
100Вт(1701916)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
86,2нКл(1973081)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
24А(1759122)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMM6N90D1
Артикул: 836345
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.81 грн
5+
53.09 грн
24+
41.96 грн
66+
39.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
6А
Опір в стані провідності
1,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
100Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
86,2нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
24А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g