0 0 0
  8. WMN11N80M3

Транзистори з каналом N THT WMN11N80M3

 
WMN11N80M3
 
Артикул: 080465
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10,5А; 85Вт; TO262
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.97 грн
5+
55.77 грн
24+
42.59 грн
64+
40.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO262(1478942)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
10,5А(1441292)
Опір в стані провідності
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
85Вт(1618986)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
SJ-MOSFET M3(1739749)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,8 g
 
Транзистори з каналом N THT WMN11N80M3
Артикул: 080465
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10,5А; 85Вт; TO262
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.97 грн
5+
55.77 грн
24+
42.59 грн
64+
40.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO262
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
10,5А
Опір в стані провідності
0,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
85Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
SJ-MOSFET M3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,8 g