0 0 0
  8. WMO05N100C2

Транзистори з каналом N SMD WMO05N100C2

 
WMO05N100C2
 
Артикул: 778670
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 1кВ; 2А; Idm: 11А; 57Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
127.15 грн
5+
113.64 грн
11+
90.60 грн
31+
85.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
2А(1441386)
Опір в стані провідності
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
57Вт(1632300)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
12,6нКл(1743010)
Технологія
WMOS™ C2(1795262)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
11А(1801431)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMO05N100C2
Артикул: 778670
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 1кВ; 2А; Idm: 11А; 57Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
127.15 грн
5+
113.64 грн
11+
90.60 грн
31+
85.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
2А
Опір в стані провідності
3,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
57Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
12,6нКл
Технологія
WMOS™ C2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
11А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g