0 0 0
  8. WMO10N65EM

Транзистори з каналом N SMD WMO10N65EM

 
WMO10N65EM
 
Артикул: 778719
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 650В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.96 грн
5+
58.97 грн
22+
46.89 грн
59+
44.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
4,8А(1492240)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
63Вт(1520822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13,5нКл(1611304)
Технологія
WMOS™ EM(1960114)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
24А(1759122)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMO10N65EM
Артикул: 778719
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 650В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.96 грн
5+
58.97 грн
22+
46.89 грн
59+
44.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
4,8А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
63Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13,5нКл
Технологія
WMOS™ EM
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
24А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g