0 0 0
  8. WMO11N70SR

Транзистори з каналом N SMD WMO11N70SR

 
WMO11N70SR
 
Артикул: 778662
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 19А; 63Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.55 грн
5+
60.71 грн
21+
48.24 грн
57+
45.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
700В(1441588)
Струм стока
5,4А(1441322)
Опір в стані провідності
620мОм(1628407)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
63Вт(1520822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13,7нКл(1695265)
Технологія
WMOS™ SR(1960116)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
19А(1800734)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMO11N70SR
Артикул: 778662
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 19А; 63Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.55 грн
5+
60.71 грн
21+
48.24 грн
57+
45.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
700В
Струм стока
5,4А
Опір в стані провідності
620мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
63Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13,7нКл
Технологія
WMOS™ SR
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
19А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g