0 0 0
  8. WMO26N65F2

Транзистори з каналом N SMD WMO26N65F2

 
WMO26N65F2
 
Артикул: 778688
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
122.38 грн
5+
110.46 грн
12+
87.66 грн
32+
82.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
10,5А(1441292)
Опір в стані провідності
0,21Ом(1737419)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
135Вт(1702216)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22,1нКл(1801465)
Технологія
WMOS™ F2(1946792)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMO26N65F2
Артикул: 778688
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
122.38 грн
5+
110.46 грн
12+
87.66 грн
32+
82.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
10,5А
Опір в стані провідності
0,21Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
135Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22,1нКл
Технологія
WMOS™ F2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g