0 0 0
  8. WMO2N100D1

Транзистори з каналом N SMD WMO2N100D1

 
WMO2N100D1
 
Артикул: 836324
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1кВ; 2А; Idm: 8А; 60Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
18.52 грн
10+
15.98 грн
50+
14.15 грн
79+
12.63 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
2А(1441386)
Опір в стані провідності
6,3Ом(1638796)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
8А(1709892)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMO2N100D1
Артикул: 836324
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1кВ; 2А; Idm: 8А; 60Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
18.52 грн
10+
15.98 грн
50+
14.15 грн
79+
12.63 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
2А
Опір в стані провідності
6,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
18нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g