0 0 0
  8. WMO3N120D1

Транзистори з каналом N SMD WMO3N120D1

 
WMO3N120D1
 
Артикул: 836340
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А; TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.83 грн
5+
35.45 грн
25+
31.87 грн
38+
26.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
3А(1441397)
Опір в стані провідності
6,3Ом(1638796)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
62,5Вт(1702079)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22,2нКл(1610037)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMO3N120D1
Артикул: 836340
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А; TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.83 грн
5+
35.45 грн
25+
31.87 грн
38+
26.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
3А
Опір в стані провідності
6,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
62,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22,2нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g