0 0 0
  8. WMO4N80D1B

Транзистори з каналом N SMD WMO4N80D1B

 
WMO4N80D1B
 
Артикул: 836325
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 4А; Idm: 16А; 96Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
18.52 грн
10+
13.51 грн
50+
11.92 грн
93+
10.73 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
96Вт(1740786)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMO4N80D1B
Артикул: 836325
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 4А; Idm: 16А; 96Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
18.52 грн
10+
13.51 грн
50+
11.92 грн
93+
10.73 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
3,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g