0 0 0
  8. WMO5N50D1B

Транзистори з каналом N SMD WMO5N50D1B

 
WMO5N50D1B
 
Артикул: 836333
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А; 45Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.18 грн
25+
9.27 грн
100+
8.15 грн
140+
7.35 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
5А(1441380)
Опір в стані провідності
1,35Ом(1638833)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
45Вт(1607948)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
14нКл(1479029)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMO5N50D1B
Артикул: 836333
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А; 45Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.18 грн
25+
9.27 грн
100+
8.15 грн
140+
7.35 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
5А
Опір в стані провідності
1,35Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
45Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
14нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g