0 0 0
  8. WMO6N80D1

Транзистори з каналом N SMD WMO6N80D1

 
WMO6N80D1
 
Артикул: 836335
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 45,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.83 грн
5+
21.62 грн
25+
19.31 грн
65+
15.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
6А(1441388)
Опір в стані провідності
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
45,8Вт(1973082)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
29нКл(1479212)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
24А(1759122)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMO6N80D1
Артикул: 836335
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 45,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.83 грн
5+
21.62 грн
25+
19.31 грн
65+
15.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
6А
Опір в стані провідності
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
45,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
29нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
24А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g