0 0 0
  8. WMO80R1K0S

Транзистори з каналом N SMD WMO80R1K0S

 
WMO80R1K0S
 
Артикул: 778668
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 22А; 70Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.75 грн
5+
88.21 грн
15+
70.01 грн
25+
69.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,6А(1441602)
Опір в стані провідності
1,05Ом(1441606)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
70Вт(1702087)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13,2нКл(1609924)
Технологія
WMOS™ S(1960117)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
22А(1801380)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMO80R1K0S
Артикул: 778668
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 22А; 70Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.75 грн
5+
88.21 грн
15+
70.01 грн
25+
69.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,6А
Опір в стані провідності
1,05Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
70Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13,2нКл
Технологія
WMOS™ S
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
22А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g