0 0 0
  8. WMX3N150D1

Транзистори з каналом N THT WMX3N150D1

 
WMX3N150D1
 
Артикул: 834205
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 90Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.06 грн
5+
97.73 грн
14+
75.48 грн
37+
71.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 227 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PF(1441597)
Напруга сток-джерело
1,5кВ(1441410)
Струм стока
3А(1441397)
Опір в стані провідності
5,7Ом(1642910)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
90Вт(1701929)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
40нКл(1479263)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,402 g
 
Транзистори з каналом N THT WMX3N150D1
Артикул: 834205
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 90Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.06 грн
5+
97.73 грн
14+
75.48 грн
37+
71.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 227 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO3PF
Напруга сток-джерело
1,5кВ
Струм стока
3А
Опір в стані провідності
5,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
90Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
40нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,402 g