0 0 0
  8. WMX4N150D1

Транзистори з каналом N THT WMX4N150D1

 
WMX4N150D1
 
Артикул: 834178
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 4А; Idm: 16А; 90Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.47 грн
5+
98.10 грн
14+
74.17 грн
37+
70.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 275 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PF(1441597)
Напруга сток-джерело
1,5кВ(1441410)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
5,4Ом(1502531)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
90Вт(1701929)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
41нКл(1479238)
Технологія
WMOS™ D1(1973083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,412 g
 
Транзистори з каналом N THT WMX4N150D1
Артикул: 834178
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 4А; Idm: 16А; 90Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.47 грн
5+
98.10 грн
14+
74.17 грн
37+
70.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 275 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO3PF
Напруга сток-джерело
1,5кВ
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
5,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
90Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
41нКл
Технологія
WMOS™ D1
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,412 g