0 0 0
  8. WMZ26N60C4

Транзистори з каналом N SMD WMZ26N60C4

 
WMZ26N60C4
 
Артикул: 778707
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
217.70 грн
3+
194.66 грн
8+
129.51 грн
21+
122.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN8x8(1929759)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
10,5А(1441292)
Опір в стані провідності
0,205Ом(1790173)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
135Вт(1702216)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22,1нКл(1801465)
Технологія
WMOS™ C4(1795261)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMZ26N60C4
Артикул: 778707
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
217.70 грн
3+
194.66 грн
8+
129.51 грн
21+
122.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
DFN8x8
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
10,5А
Опір в стані провідності
0,205Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
135Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22,1нКл
Технологія
WMOS™ C4
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g