0 0 0
  5. BTA2008W-600D,135

Симистори BTA2008W-600D,135

 
BTA2008W-600D,135
 
WeEn Semiconductors
Артикул: 367166
Симистор; 600В; 0,8А; SOT223; Igt: 5мА; Ifsm: 9А; 3Q,Hi-Com
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
15.41 грн
25+
13.75 грн
95+
10.65 грн
265+
10.01 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3605 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
WeEn Semiconductors(1242)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Струм провідності макс.
0,8А(1440604)
Струм вентиля
5мА(1440597)
Струм в імпульсі макс.
9А(1501468)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate(1740167)
Технологія
3Q(1740538) Hi-Com(1740539)
Type of thyristor
симистор(1854719)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,128 g
 
Симистори BTA2008W-600D,135
WeEn Semiconductors
Артикул: 367166
Симистор; 600В; 0,8А; SOT223; Igt: 5мА; Ifsm: 9А; 3Q,Hi-Com
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
15.41 грн
25+
13.75 грн
95+
10.65 грн
265+
10.01 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3605 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
WeEn Semiconductors
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Струм провідності макс.
0,8А
Струм вентиля
5мА
Струм в імпульсі макс.
9А
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate
Технологія
3Q
Технологія
Hi-Com
Type of thyristor
симистор
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,128 g